【導語(yǔ)】現有產(chǎn)業(yè)條件下,micro LED已經(jīng)可以導入大規模實(shí)用
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充分利用一切有利資源:micro led加速滲透

來(lái)源:投影時(shí)代 更新日期:2024-05-21 作者:蕭蕭
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第432期

    進(jìn)入2024年以來(lái),micro LED行業(yè)呈現“冰火兩重天”的格局。既有如蘋(píng)果、歐司朗等micro LED項目下馬,三安光電micro LED項目推出兩年量產(chǎn)的消息;也有micro LED顯示創(chuàng )新不斷、加速應用端拓展、相應產(chǎn)品供給型號數量指數級增長(cháng)的更多好消息。

    這背后體現了“理想狀態(tài)下的micro LED顯示產(chǎn)品的技術(shù)難度之高、之復雜”,也體現了“現有產(chǎn)業(yè)條件下,micro LED已經(jīng)可以導入大規模實(shí)用的現實(shí)”。即通過(guò)整合既有的各種資源,有先實(shí)現一定micro LED直顯產(chǎn)品應用加速落地,成為推動(dòng)micro LED產(chǎn)業(yè)持續崛起的支柱。

    Mip封裝,讓micro LED加速落地

    2014年,蘋(píng)果提出在未來(lái)的蘋(píng)果智能手表上實(shí)用micro LED顯示屏幕,正是打響了micro LED技術(shù)的全球競爭之戰。2024年,10年之后蘋(píng)果暫時(shí)終止了micro LED顯示智能手表產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),同時(shí)造成為其配套的歐司朗馬來(lái)西亞micro LED晶圓廠(chǎng)終止建設。

充分利用一切有利資源:micro led加速滲透

    這一以蘋(píng)果為核心的案例,可視為目前micro LED顯示面臨的“巨大工藝技術(shù)考驗”的縮影;谥悄苁直響,micro LED顯示要實(shí)現超輕薄、超小型、超高像素密度、超高集成效率的統一?梢哉f(shuō)“集萬(wàn)千寵愛(ài)于一身的同時(shí),也集中了所有可能的技術(shù)難題”。這是其“夭折”的根源。但是,“從實(shí)用出發(fā),鍛煉者未必就要去攀登珠穆朗瑪峰頂——有的是不同的山峰以供選擇”,業(yè)內人士指出,選擇更可行的產(chǎn)品目標,是micro LED現階段的主要任務(wù)。

    其中,大屏micro LED直顯、micro LED透明顯示和車(chē)載應用是主要的可行方向。尤其是micro LED大屏直顯,作為一個(gè)高度成熟的應用門(mén)類(lèi),其能夠為micro LED技術(shù)提供真正的第一桶金。在這方面,行業(yè)發(fā)展了MIP封裝技術(shù)。

    為什么蘋(píng)果的智能手表micro LED屏不能成功呢?因為其有眾多困難:第一,micro LED應用在高像素密度上,必須克服巨量轉移的難題;第二,micro LED在小尺寸應用上,需要嶄新的背板產(chǎn)品和技術(shù),即PCB板不在滿(mǎn)足需求;第三,這種1-3英寸級別的應用,micro led必須做到“真正足夠小顆粒下的高性能”。

    但是,在大屏直顯上,micro LED基于mip封裝后,可以直接應用高度成熟的表貼工藝進(jìn)行集成;通過(guò)先期封裝,micro LED不必糾結于micro尺寸的LED晶體電氣連接點(diǎn),如5-50微米晶體,與PCB板線(xiàn)寬極限之間的不匹配問(wèn)題;在大屏直顯上,LED晶體從毫米級別到mini尺寸級別再到micro級別都可應用,不需要一上來(lái)就追求極限的LED晶體顆粒尺度,一定程度繞過(guò)了微米級別micro LED晶體電光量子效能下降的技術(shù)壁壘。

    此外,LED直顯行業(yè)還發(fā)展了基于micro LED的新興彩色化方案。即將原有的三原色RGB LED三種晶體換成藍色或者紫外LED一種晶體,結合更為成熟的熒光粉或者量子點(diǎn)材料實(shí)現彩色化。這種技術(shù)大大簡(jiǎn)化了micro LED直顯高密度集成技術(shù)的難度,被認為是未來(lái)micro Led直顯低成本顯示方案的候選項之一。

    “從LED晶體顆粒的材料與效能、PCB背板的適應適配到充分利用表貼工藝的傳統產(chǎn)能,再到多樣彩色化技術(shù)……micro LED實(shí)用化的第一步就是‘化繁為簡(jiǎn)’的盡量利用了現有的成熟的技術(shù)、工藝和市場(chǎng)需求,更快的將micro LED推向了大屏直顯的應用前臺”。

    從COB到MIP,micro LED沒(méi)有沖突

    在MIP誕生之初,有行業(yè)人士擔憂(yōu)其與已經(jīng)蓬勃發(fā)展十余年的COB技術(shù)產(chǎn)生路線(xiàn)沖突。這種擔憂(yōu)目前看是多余的。

    一方面,MIP技術(shù)通過(guò)表面覆膜、填充等工藝,可以實(shí)現與COB技術(shù)一樣的物理強度,滿(mǎn)足可靠性、穩定性方面的高標準需求。

    另一方面,COB更簡(jiǎn)潔的產(chǎn)品框架和工藝流程,在成熟度相當的工藝前提下,渴望有比MIP更低的理論成本。且COB技術(shù)對更小間距,中等顯示尺寸、透明顯示、車(chē)載顯示的友好度更高。不存在徹底被MIP替代的可能——這就如同,在P1.5間距指標以上,mip的必然技術(shù)優(yōu)勢一樣。

充分利用一切有利資源:micro led加速滲透

    同時(shí),基于COB技術(shù)的積累,LED直顯企業(yè)可以進(jìn)入MIP封裝器件制造領(lǐng)域。某種角度看,MIP封裝就像是單一像素,或者只有個(gè)位數像素數量的“超小規模COB”。通過(guò)應用COB的封裝技術(shù),設計自主的MIP封裝結構,實(shí)現產(chǎn)業(yè)鏈延伸是目前掌握了COB類(lèi)核心技術(shù)的LED直顯企業(yè)的“產(chǎn)業(yè)鏈升級方向之一”。這也讓?zhuān)珻OB企業(yè)能夠在MIP產(chǎn)品上,建立更多的自主知識產(chǎn)權優(yōu)勢。

    此外,面對進(jìn)一步的玻璃基板技術(shù),特別是AM驅動(dòng)的TFT玻璃基板micro LED顯示產(chǎn)品,COB這種封裝與像素集成一體化的方案,更具有優(yōu)勢。玻璃基板不具有傳統PCB基板極限線(xiàn)寬,難以適配micro LED晶體5-50微米尺寸下電氣接觸點(diǎn)的難題;同時(shí)玻璃材料的熱和其他物理穩定性更高、表明更為光滑,對于巨量轉移的成品率也更為友好;且玻璃基板或者是樹(shù)脂基板是高等級透明顯示、柔性顯示micro LED產(chǎn)品的不可替代選擇。

    MIP更適應現有的成熟技術(shù)、成熟工藝和成熟材料;COB類(lèi)的封裝集成一體化方案則更為前瞻的適配更多新材料、新工藝、新規格的產(chǎn)品與應用!業(yè)內人士指出,這不是二選一的問(wèn)題,而是micro LED特定發(fā)展階段,對多元化的應用可能與前景做出的多重供給選擇。

    Micro LED時(shí)代必然到來(lái)

    為什么要發(fā)展micro LED?蘋(píng)果手表2014年的最早投入預期是“這一技術(shù)節能、節能、超級節能”,此外顯示效果還比已有技術(shù)都好。其中,節能這一點(diǎn),對于移動(dòng)和穿戴設備的吸引力格外巨大。

充分利用一切有利資源:micro led加速滲透

    但是,在更為成熟的LED大屏應用場(chǎng)景下,micro的意義不是“節能好+顯示效果好”,而是低成本。即LED晶體作為L(cháng)ED直顯最核心材料,2016-2026年室內小間距主流應用的尺度可能從500微米下降到50微米——理論上,一塊晶圓能夠產(chǎn)出此前100倍的像素點(diǎn)。這實(shí)現的成本節約是顯而易見(jiàn)的。

    同時(shí),更小尺寸的micro LED晶體,也在節能方面降低顯示設備終生使用成本;更小的晶體顆粒,也能適配更微小的間距指標,更高的PPI分辨率,進(jìn)軍車(chē)載、專(zhuān)業(yè)顯示器等中尺寸應用市場(chǎng);micro級別的微小晶體尺寸還是柔性L(fǎng)ED直顯和高透明LED直顯的必然前提……即,有了micro LED技術(shù),LED直顯成本更低、形態(tài)更多元、應用范圍更廣闊、符合低碳節能輕薄變形的顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向!

    更為重要的是,LED直顯產(chǎn)品過(guò)去四十多年的發(fā)展,LED晶體尺寸持續縮小是最大的技術(shù)規律。這一規律在近10年進(jìn)入到mini為主,micro進(jìn)一步接棒的新時(shí)代?梢哉f(shuō),充分利用各種成熟資源、工藝和材料,推動(dòng)micro LED應用落地,就是在LED直顯發(fā)展的歷史正軌上持續擁抱行業(yè)未來(lái)!

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